Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSI4N60BTU
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSI4N60BTU
SSI4N60BTU Hakkında
SSI4N60BTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.5Ω (10V, 2A'de) maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge 29nC ve input kapasitansi 920pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Through-hole montajına uygun paket yapısı mekanik stabilite sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok