Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSF7N60B
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSF7N60B
SSF7N60B Hakkında
SSF7N60B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 5.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-3P-3 paketinde through-hole montajına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 50nC gate charge ve 1800pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Power supply kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok