Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQW61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQW61N65EF
SQW61N65EF-GE3 Hakkında
Vishay SQW61N65EF-GE3, 650V drain-source gerilimi ve 62A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 52mOhm On-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 625W güç disipasyonuna dayanır. Gate charge değeri 344nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Industrial seviye güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, UPS sistemleri ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 344 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7379 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 625W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 32A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok