Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQW33N65EF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQW33N65EF
SQW33N65EF-GE3 Hakkında
Vishay SQW33N65EF-GE3, 650V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel power MOSFET'tir. E serisi hızlı MOSFET teknolojisini kullanarak tasarlanmıştır. 109mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışabilir. Gate yükü 173nC ve giriş kapasitansi 3972pF değerleriyle switching işlemlerinde kontrollü performans sağlar. Yüksek voltaj uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 173 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3972 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 109mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok