Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQV120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 28-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQV120N10
SQV120N10-3M8_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQV120N10-3M8_GE3, 100V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 120A sürekli drain akımı kapasitesi sayesinde yüksek akım uygulamalarında kullanılmaktadır. TO262-3 (28-SOIC) Surface Mount paket ile sağlanan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 3.8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 250W maksimum güç dissipasyonu yapabilir. Gate threshold voltajı 3.5V olup, ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli şekilde kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 28-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok