Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQV120N06-4M7L_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQV120N06
SQV120N06-4M7L_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQV120N06-4M7L_GE3, N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 120A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds On değeri (4.7mOhm @ 30A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. 250W maksimum güç dağıtabilir. ±20V gate voltaj aralığında, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. Part Status Last Time Buy olarak işaretlemiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok