Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQSA80ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQSA80ENW
SQSA80ENW-T1_GE3 Hakkında
SQSA80ENW-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen 80V N-Channel MOSFET transistörüdür. 18A sürekli drenaj akımı ve 21mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8 paket formatında sunulan bu bileşen, düşük güç kaybı gerektiren endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve enerji yönetimi sistemlerinde yer alır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bileşen, 62.5W maksimum güç tüketimi ile kompakt yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1358 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok