Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQSA12CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQSA12CENW
SQSA12CENW-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQSA12CENW-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. PowerPAK® 1212-8W yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, otomotiv elektronik kontrol üniteleri, batarya yönetim sistemleri, motor sürücüleri ve güç dağıtım uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 62.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv ortamlarında güvenli işletme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok