Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS850EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS850EN
SQS850EN-T1_GE3 Hakkında
SQS850EN-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 21.5mOhm maksimum on-direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 41nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2021 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5mOhm @ 6.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok