Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS840EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS840EN
SQS840EN-T1_GE3 Hakkında
SQS840EN-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 20mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK 1212-8 paket tipi kompakt PCB tasarımlarına uygun bir çözüm sunar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrollerinde ve LED sürücülerinde tercih edilir. 10V gate drive voltajında karakteristik özellikleri gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1031 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok