Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS840CENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS840CENW
SQS840CENW-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQS840CENW-T1_GE3, N-channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8W yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 33W güç dağıtabilir. Gate eşik gerilimi 2.5V, maksimum gate gerilimi ±20V'tir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1031 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok