Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS660CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS660CENW
SQS660CENW-T1_GE3 Hakkında
SQS660CENW-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim ile çalışabilen bu bileşen, 18A sürekli drenaj akımını destekler. Düşük On-State direnci (11.2mOhm @ 7A, 10V) ve kompakt PowerPAK® 1212-8W paketlemesi ile yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışmaya uygun olan bu MOSFET, otomotiv endüstrisinde güç denetimi, motor sürücüleri, solenoid kontrolleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 26nC kapı yükü ve 1950pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok