Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS486CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS486CENW
SQS486CENW-T1_GE3 Hakkında
SQS486CENW-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen otomotiv uyumlu N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj (Vdss) ve 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5.1mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. PowerPAK® 1212-8W yüzey montajlı paket ile otomotiv, endüstriyel motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. 53nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok