Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS484ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS484ENW
SQS484ENW-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQS484ENW-T1_GE3, 40V 16A N-Channel MOSFET transistörü olup, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8 paket tipi ile kompakt PCB tasarımına olanak sağlar. RDS(on) değeri 8mΩ (10A, 10V şartlarında) ile düşük kayıp ve yüksek verimlilik sağlayan bu FET, mobil cihaz şarj sistemleri, güç yönetimi modülleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 62.5W güç dağıtım kapasitesi ile çeşitli endüstriyel ve tüketici ürünlerinde güvenilir bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok