Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS484EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS484EN
SQS484EN-T1_GE3 Hakkında
SQS484EN-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 16A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 9mOhm maksimum on-direnç (Rds On) ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketi ile kompakt boyutlu devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. Sürücü gerilim aralığı 4.5V ile 10V arasında değişmektedir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında 62W güç dağıtabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1855 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 16.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok