Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS484EN-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS484EN
SQS484EN-T1_BE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQS484EN-T1_BE3, N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 16A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, PowerPAK® 1212-8 SMD paketinde sunulmaktadır. 9mOhm (10V, 16.4A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iç direnç sağlar. Gate şarj kapasitesi 39nC ve input kapasitesi 1855pF'dir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç denetim devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve LED sürücülerinde yaygın olarak kullanılır. 62W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile bilgisayar, enerji yönetimi ve endüstriyel elektronik sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1855 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 16.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok