Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS484CENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS484CENW
SQS484CENW-T1_GE3 Hakkında
SQS484CENW-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilimi ve 16A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. PowerPAK 1212-8W paket tipinde surface mount montajı destekler. 9.5mΩ on-state direnci (10V gate geriliminde) ve 2.5V eşik gerilimi ile düşük kayıp ve hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. Gate yükü 40nC @ 10V ve giriş kapasitansi 2350pF @ 25V'dir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok