Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS481ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS481ENW
SQS481ENW-T1_GE3 Hakkında
SQS481ENW-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilim ve 4.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.095Ω maksimum RDS(On) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. PowerPAK® 1212-8 yüzey montajlı paket içerisinde sunulur. Gate charge 11nC ve 385pF input kapasitans özellikleri ile hızlı anahtarlama gerçekleştirir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 385 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.095Ohm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok