Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS460ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS460ENW
SQS460ENW-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQS460ENW-T1_GE3, N-channel MOSFET transistörü olup 60V drain-source voltajında 8A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8W yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 36mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. 4.5V ve 10V drive voltage seçenekleriyle çalışabilen transistör, -55°C ile 175°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. 39W maksimum güç yayılımı kapasitesi sayesinde güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak yer alır. 20nC gate charge ve 755pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 755 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok