Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS423ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS423ENW
SQS423ENW-T1_GE3 Hakkında
SQS423ENW-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 16A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8W yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V gate voltajında 21mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 62.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1975 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok