Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS423EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS423EN
SQS423EN-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQS423EN-T1_GE3, P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 16A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V Vgs'de 21mOhm maksimum Rds(On) direnci ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığını destekler. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. 26nC gate charge ve 1975pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. (Not: Bu ürün artık üretilmemektedir - Obsolete)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1975 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok