Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS420EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS420EN
SQS420EN-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQS420EN-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. PowerPAK® 1212-8 yüzeye monte paketi içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 28mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama güç kaynakları, motorlar, LED sürücüler ve diğer güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 18W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok