Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS414CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS414CENW
SQS414CENW-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQS414CENW-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj anahtarlama işlemlerinde kullanılır. 18A sürekli dren akımı kapasitesi ve 23mΩ üzerine çıkıp açma direnci (RDS(on)) ile güç yönetimi, motor kontrolü ve ağır yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. PowerPAK® 1212-8W yüzey montaj paketine sahip olan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 33W güç harcayabilir. Gate kapasitesi 870pF, threshold gerilimi 2.5V'dir. Otomotiv endüstrisi standartlarına uygun olarak tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok