Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS411ENW
SQS411ENW-T1_GE3 Hakkında
SQS411ENW-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 16A sürekli dren akımı kapasitesiyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 27.3mΩ on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK 1212-8W yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3191 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 53.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.3mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok