Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS407ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS407ENW
SQS407ENW-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQS407ENW-T1_GE3, P-channel MOSFET transistörüdür. 30V dren-kaynak gerilimi ve 16A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8W yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10.8mOhm maksimum on-direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına ve 62.5W maksimum güç dağılımına sahiptir. MOSFET türü metal oksit teknolojisini kullanmakta olup, 77nC gate yükü ve 4572pF input kapasitesi özellikleriyle donatılmıştır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4572 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok