Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS405ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS405ENW
SQS405ENW-T1_GE3 Hakkında
SQS405ENW-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 20mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. PowerPAK 1212-8 paketindeki kompakt tasarımı, yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalara uygunluğunu arttırır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında şarj kontrolleri, güç anahtarlama, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2650 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 13.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok