Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS401EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS401EN
SQS401EN-T1_GE3 Hakkında
SQS401EN-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 16A sürekli akım kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 29mΩ maksimum RDS(on) değeri (10V Vgs'de) düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, batarya yönetim sistemleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 21.2nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği gösterir. (Not: Bu ürün obsolete durumdadır.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1875 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok