Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQS401EN-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQS401EN
SQS401EN-T1_BE3 Hakkında
Vishay SQS401EN-T1_BE3, P-kanal MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 29mΩ RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. PowerPAK® 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, gömülü sistemler ve endüstriyel elektronik tasarımlarında yaygın olarak yer alır. 62.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1875 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok