Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQS140ENW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® 1212-8SLW
Seri / Aile Numarası
SQS140ENW

SQS140ENW-T1_GE3 Hakkında

SQS140ENW-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen automotive-grade N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ile tasarlanmış, 214A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2.53mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında tercih edilir. Otomotiv endüstrisinde güç yönetimi, motor sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve elektrikli araç sistemlerinde kullanılır. PowerPAK® 1212-8SLW SMD paketinde sunulan komponentin çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasındadır. 197W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle yüksek akım geçişine uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 214A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3111 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.53mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8SLW
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok