Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQR97N06-6M3L_GE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQR97N06-6M3L
SQR97N06-6M3L_GE3 Hakkında
Vishay SQR97N06-6M3L_GE3, 60V drain-source gerilim ile çalışabilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 97A sürekli dren akımı kapasitesi ve 6.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında tercih edilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 136W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC/DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürücü voltajı ile kolay entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 97A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6060 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok