Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQR70090ELR_GE3

MOSFET N-CH 100V 86A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-4
Seri / Aile Numarası
SQR70090ELR

SQR70090ELR_GE3 Hakkında

Vishay SQR70090ELR_GE3, 100V Drain-Source gerilimi ve 86A sürekli akım kapasitesi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 8.7mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük gerilim düşümü sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç denetimi, motor sürücüleri, anahtarlama kaynakları ve DC/DC dönüştürücüler gibi yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 136W maksimum güç saçılımına dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok