Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQR50N04-3M8_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQR50N04
SQR50N04-3M8_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQR50N04-3M8_GE3, 40V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı ile çalışan N-Channel MOSFET'tir. TO-252-4 (DPak) SMD paketi ile sunulan bu transistör, 10V gate drive geriliminde 3.8mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Düşük on-dirençi sayesinde ısıl kayıpları minimize eder ve 136W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 105nC gate charge ve 6700pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok