Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQR40020ER_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO252 REV

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-4
Seri / Aile Numarası
SQR40020ER

SQR40020ER_GE3 Hakkında

SQR40020ER_GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-state direnci (2.33mΩ @ 20A, 10V) nedeniyle güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan komponentin çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasındadır. Gate charge değeri 130nC olup, hızlı anahtarlama performansı gerekli olan motor kontrol, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.33mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252 (DPAK) Reverse Lead
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok