Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQP90P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQP90P06-07L
SQP90P06-07L_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQP90P06-07L_GE3, P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 120A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 6.7mΩ maksimum On-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve invertör uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W güç dağıtımına kapaklıdır. ±20V gate voltajı ile sürülebilen bu P-Channel MOSFET, 4.5V ve 10V sürücü voltajlarında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok