Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQP120N10-09_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SQP120N10-09

SQP120N10-09_GE3 Hakkında

Vishay SQP120N10-09_GE3, 100V dayanıma ve 120A sürekli drenaj akımına sahip N-kanal MOSFET transistördür. TO-220-3 paketlemesinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve inverter sistemlerinde kullanılır. 9.5mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 375W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan entegrasyonu mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8645 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok