Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQP120N06-06_GE3
MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQP120N06-06
SQP120N06-06_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQP120N06-06_GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 60V drain-source gerilimi ve 119A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-state direnç değeri (6mΩ @ 30A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Gate charge 145nC ve giriş kapasitansı 6495pF olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmakta, 175W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılabilmektedir. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 119A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6495 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 175W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok