Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQP10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 53A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQP10250E
SQP10250E_GE3 Hakkında
Vishay SQP10250E_GE3, 250V drain-source geriliminde 53A sürekli drenaj akımı sağlayan N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate drive voltajında 30mOhm (maksimum) on-resistance değerine sahiptir. 75nC gate charge ve 4050pF input capacitance özellikleriyle, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen ve 250W maksimum güç disipasyonu destekleyen bu MOSFET, industrial kontrol sistemleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetim devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok