Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQP100P06-9M3L_GE3
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQP100P06
SQP100P06-9M3L_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQP100P06-9M3L_GE3, 60V drain-source gerilimi ve 100A sürekli akım kapasitesine sahip P-Channel MOSFET transistördür. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, 9.3mΩ maximum RDS(on) değeri ile düşük direnç özelliği gösterir. Gate charge 300nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 187W güç dağıtabilmektedir. Güç amplifikasyon devreleri, motor sürücüler, şarj yönetimi sistemleri ve anahtarlama regülatörlerinde yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB tasarımlarında kolayca uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12010 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok