Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQP100N04-3M6_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SQP100N04

SQP100N04-3M6_GE3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SQP100N04-3M6_GE3, N-Channel MOSFET transistörü olarak yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı ile güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 3.6mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paket yapısıyla DIP delikli PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihazlarda kullanılabilir. Gate charge 135nC olup hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok