Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQM90142E_GE3

MOSFET N-CH 200V 95A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SQM90142E

SQM90142E_GE3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SQM90142E_GE3, 200V drain-source gerilimi ve 95A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 15.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıplarına sahiptir. -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilen komponent, 375W maksimum güç tüketimine dayanır. 85nC gate charge ve 4200pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Güç kaynağı uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 95A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.3mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok