Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQM85N15-19_GE3

MOSFET N-CH 150V 85A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SQM85N15

SQM85N15-19_GE3 Hakkında

Vishay SQM85N15-19_GE3, N-kanal MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilim (Vdss) ve 85A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında 19mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile +175°C arası) sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, switched-mode power supply (SMPS), invertörler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6285 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok