Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM60N20-35_GE3
MOSFET N-CH 200V 60A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM60N20-35
SQM60N20-35_GE3 Hakkında
Vishay SQM60N20-35_GE3, 200V drain-source geriliminde 60A sürekli akım yeteneğine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 35mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip olup güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama ve kontrol görevleri için tasarlanmıştır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, 375W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel denetim devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 135nC gate charge ve düşük input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok