Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQM60N06-15_GE3

MOSFET N-CH 60V 56A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SQM60N06-15

SQM60N06-15_GE3 Hakkında

Vishay SQM60N06-15_GE3, 60V drain-source voltaj ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 56A sürekli drain akımı kapasitesi ve 15mOhm maksimum Rds(on) değeri ile güç uygulamalarında düşük kayıp sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunmaktadır. 10V gate sürüm voltajında 50nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2480 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok