Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM60030E_GE3
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM60030E
SQM60030E_GE3 Hakkında
Vishay SQM60030E_GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 80V drain-source gerilimi ve 120A sürekli akım kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) paket türünde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 3.2mΩ'dur. 375W güç dağıtımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 165nC gate charge ve düşük input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok