Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM50P08-25L_GE3
MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM50P08-25L
SQM50P08-25L_GE3 Hakkında
Vishay SQM50P08-25L_GE3, P-Channel MOSFET transistörü olup 80V drain-source voltajı ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, 150W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Elektrik araçları, endüstriyel kontrol sistemleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok