Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQM50P06-15L_GE3

MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SQM50P06

SQM50P06-15L_GE3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SQM50P06-15L_GE3, 60V dren-kaynak gerilimi ve 50A sürekli dren akımı kapasitesine sahip P-Channel MOSFET'tir. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 10V kapı geriliminde 15mΩ'luk düşük on-direnci (RDS(on)) değerine ulaşır. 155nC gate charge ve düşük input kapasitanası sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 150W maksimum güç dağılımı kapasitesi, endüstriyel güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrolü ve pil yönetimi sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6120 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok