Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM50N04-4M1_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM50N04
SQM50N04-4M1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQM50N04-4M1_GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 50A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 4.1mOhm on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Yüksek güç uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynağı tasarımlarında ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 105nC gate charge ve 6715pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6715 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok