Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM50028EM_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM50028EM
SQM50028EM_GE3 Hakkında
SQM50028EM_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 120A sürekli akım kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok