Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQM40041EL_GE3

MOSFET P-CH 40V 120A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SQM40041EL

SQM40041EL_GE3 Hakkında

Vishay SQM40041EL_GE3, 40V ile 120A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip P-channel MOSFET transistördür. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 3.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 157W maksimum güç yayınımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yer bulur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürme devreleri ve yük yönetimi sistemlerinde kullanıma uygundur. ±20V maksimum gate voltajı ve 450nC gate charge ile kontrollü anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23600 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok