Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQM40031EL_GE3

MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SQM40031EL

SQM40031EL_GE3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SQM40031EL_GE3, P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 3mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. D²Pak (TO-263) SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. DCDC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde uygulanır. 375W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 39000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok